Les transistors à effet de champ à hétérostructure (HFET or HEMT) en nitrure de gallium se présentent comme des candidats à fort potentiel pour la prochaine génération d’amplificateur de puissance dans les domaines de radio fréquences et des ondes millimétriques. Ce sont ses propriétés physiques et électroniques telle qu’une grande largeur de bande interdite, un potentiel pour de forte densité de courant et un très fort champ de claquage qui le rendent supérieur aux semi-conducteurs tels que le silicium et l’arséniure de gallium. Ce manuscrit reprend des notions générales sur la fiabilité des HEMTs en GaN et décrit certains tests de vieillissement accéléré et certaines mesures complémentaires réalisés au sein du Groupe de Microélectronique de Thalès – III-VLAB, en collaboration avec l’Université de Limoges (XLIM), et le laboratoire d’analyse physique de Thales Research & Technology (LATPI). Le travail se focalise sur l’impact du contact de grille sur la stabilité du transistor HEMT ; les principaux paramètres étudiés sont les deux différents contacts métalliques (en molybdène et en nickel) et les deux matériaux développés au sein du III-VLAB, AlGaN et InAlN sur buffer GaN. L’évaluation s’appuie sur des essais de stockage en température ainsi que sur des essais sous polarisation statique continue en configuration de débit. Les résultats des essais permettent de préciser la fiabilité de différents contacts et empilements métalliques, tandis que les essais en débit mettent en évidence l’effet du champ électrique et de la densité de courant sur la dégradation des transistors en condition de fonctionnement.