Ce document traite de la caractérisation de composants HEMTà base de GaN en vue de leur modélisation. Une caractérisation exhaustive des transistors à base d’InalN/GaN et AlGaN/GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée aux méthodes de caractérisation thermique, avec l’utilisation de la méthode 3? pour la mesure de l’impédance thermique. Une étude des facteur d’échelle du modèle linéaire est également abordée. Le modèle non-linéaire présenté est développé a?n d’élargir son champ d’application à l’ampli?cation de puissance et à la commutation. En?n, il est utilisé pour la réalisation du premier ampli?cateur de puissance utilisant la technologie InAlN en bande Ka.