La conception et la réalisation d'amplificateurs réactifs faible niveau large bande au-dessus de 18 GHz constituent l'objet de cette thèse. Les étapes successives de caractérisation du transistor à effet de champ et de conception d'amplificateurs font appel aux techniques numériques d'optimisation qui affinent les résultats d'approches analytiques initiales. Une analyse numérique de sensibilité de ces amplificateurs achève ce processus de conception qui débouche sur des réalisations en technologies hybride et mono¬lithique.